12V 输入电压、5A 持续负载的电子保险丝（不带阻断场效应晶体管控制）芯片
HL8506EFN01/2
HL8506E系列电子保险丝旨在保护输出（OUT）上的电路免受电源总线（IN）上的瞬态和大涌入电流的影响，并保护电源总线免受不期望的输出短路和意外的过载情况。
当输出上升时，通过限制输出电压的转换速率来限制涌入电流。转换速率由SS引脚上的一个小电容器控制。内部小电流源为SS引脚外部电容器充电。输出电压以恒定比率跟踪SS引脚电压，直到内部功率MOSFET完全导通。当用户使SS引脚浮动时，输出典型斜坡上升时间为0.4毫秒。
电流限制水平可以通过ISET引脚到地的外部电阻器进行设置。内部电荷泵驱动功率MOSFET的栅极，使其导通电阻非常低，仅为26 mΩ。当输出电流超过电流限制设置时，该器件会调节功率MOSFET，将输出电流箝位在设置水平。限流电路的激活导致设备的功耗增加。器件的热积聚可能会触发热关断，关闭功率MOSFET。热关断后，当自动重试延迟时间（tTSD_dly）到期时，HL8506EFN01/03将再次接通功率MOSFET；除非电源循环输入电压或切换EN引脚，否则HL8506EFN02/04将锁定功率MOSFET。输出过压事件由内部箝位电路限制在没有外部组件的安全固定最大值。对于过电压保护（OVP），该设备提供12V系统。
HL8506E采用DFN-10L封装，尺寸为3mm x 3mm。
产品规格书
- 产品特性
- 参数
- 应用场景
- 相关产品
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- 商品名称: HL8506EFN01/2
- 产品名称: 12V 输入电压、5A 持续负载的电子保险丝（不带阻断场效应晶体管控制）芯片
- 产品简介: HL8506E系列电子保险丝旨在保护输出（OUT）上的电路免受电源总线（IN）上的瞬态和大涌入电流的影响，并保护电源总线免受不期望的输出短路和意外的过载情况。 当输出上升时，通过限制输出电压的转换速率来限制涌入电流。转换速率由SS引脚上的一个小电容器控制。内部小电流源为SS引脚外部电容器充电。输出电压以恒定比率跟踪SS引脚电压，直到内部功率MOSFET完全导通。当用户使SS引脚浮动时，输出典型斜坡上升时间为0.4毫秒。 电流限制水平可以通过ISET引脚到地的外部电阻器进行设置。内部电荷泵驱动功率MOSFET的栅极，使其导通电阻非常低，仅为26 mΩ。当输出电流超过电流限制设置时，该器件会调节功率MOSFET，将输出电流箝位在设置水平。限流电路的激活导致设备的功耗增加。器件的热积聚可能会触发热关断，关闭功率MOSFET。热关断后，当自动重试延迟时间（tTSD_dly）到期时，HL8506EFN01/03将再次接通功率MOSFET；除非电源循环输入电压或切换EN引脚，否则HL8506EFN02/04将锁定功率MOSFET。输出过压事件由内部箝位电路限制在没有外部组件的安全固定最大值。对于过电压保护（OVP），该设备提供12V系统。 HL8506E采用DFN-10L封装，尺寸为3mm x 3mm。
- 集成26 mΩ功率FET
- 4.5 V-13.8V工作电压范围
- 最大输出过压钳16V
- 热故障保护
- HL8506EFN01/03：自动重试
- HL8506EFN02/04：闭锁
- 反向电流阻断FET控制
- HL8506EFN01/02：无
- HL8506EFN03/04：是
- 可编程输出提升速率
- 可编程UVLO
- 可编程的高精度电流限制范围为1A至5A
- 满足IEC 62368要求（单点故障和附件G.9）
- DFN-10L 3mm x 3mm
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副标题
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